金融界2025年4月9日消息，国家知识产权局信息显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“改善CVD中硅片品质的低温退火工艺”的专利，公开号 CN 119776797 A ，申请日期为 2025 年 1 月。

专利摘要显示，本发明涉及一种改善CVD中硅片品质的低温退火工艺，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：硅片放置到碳化硅舟上。第二步：送入反应炉，密封反应炉并进行抽真空。第三步：在低压立式反应器中进行淀积，化学气相沉积采用650±10℃的成膜温度进行加工。第四步：关闭成膜气体的通过，然后将反应室抽真空，接着回冲N2将反应室恢复到常压。第五步：将硅片使用托盘传输式设备进行SiO2薄膜的常压气相沉积‑APCVD的沉积。第六步：采用450±20℃的成膜温度在硅片背面进行SiO2薄膜的沉积。第七步：对已LPCVD和APCVD加工后的硅片，再进行退火。第八步：退火后进行抛光，抛光后进行弯曲度和翘曲度的平坦度测定。具有操作便捷、省时省力和稳定性好的优点。

天眼查资料显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，成立于2017年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本503225.6776万人民币，实缴资本503225.6776万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目38次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息324条，此外企业还拥有行政许可17个。

本文源自：金融界

作者：情报员