金融界 2025 年 4 月 10 日消息，国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司申请一项名为“用激光退火在 SiC 功率器件上一步形成前欧姆和肖特基接触”的专利，公开号 CN 119786340 A，申请日期为 2024 年 9 月。

专利摘要显示，本公开的实施例涉及用激光退火在 SiC 功率器件上一步形成前欧姆和肖特基接触。提供了使用激光退火一步形成针对 SiC 功率器件的欧姆接触和肖特基接触的方法、系统和设备。SiC 功率器件可以包括背面欧姆接触、n+衬底、n‑外延层、一个或多个 p+区、一个或多个碳层、一个或多个欧姆接触、以及肖特基接触。一个或多个欧姆接触、以及肖特基接触可以在一步操作中被形成，该一步操作可以包括激光退火。在制造器件，在碳层和 n 外延层上方施加的金属化层可以在退火被执行时形成欧姆接触和肖特基接触。

本文源自：金融界

作者：情报员