金融界2025年4月10日消息，国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司申请一项名为“一种晶圆卡盘及一种工艺腔室”的专利，公开号 CN 119786422 A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明提供了一种双极晶圆卡盘及 工艺腔室。所述双极晶圆卡盘包括：卡盘本体，包括多层结构，用于对其上晶圆进行静电吸附；第一电极，设于所述卡盘本体的第一层，并经由其上第一输入端连接第一电源；以及第二电极，设于所述卡盘本体的第二层，包括第一电极环、输入通道及第二输入端，其中，所述第一电极环经由所述输入通道及所述第二输入端连接第二电源。

天眼查资料显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，成立于2023年，位于沈阳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本50000万人民币，实缴资本36168.02万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司参与招投标项目12次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息274条，此外企业还拥有行政许可10个。

本文源自：金融界

作者：情报员