金融界 2025 年 4 月 18 日消息，国家知识产权局信息显示，西安龙威半导体有限公司申请一项名为“一种 VDMOS 产品厚金属膜的刻蚀方法”的专利，公开号 CN119811997A，申请日期为 2024 年 12 月。

专利摘要显示，本发明提供了一种 VDMOS 产品厚金属膜的刻蚀方法，通过在金属溅射后先淀积钝化层，再进行电路光刻与 PSV 刻蚀，以 PSV 结构为掩模对金属薄膜进行干法刻蚀，随后去除光刻胶及聚合物残留，再次淀积钝化层并进行钝化光刻与刻蚀，最后去除剩余光刻胶。该方法突破了光刻胶厚度对金属膜刻蚀深度的限制，实现了对更厚金属膜的高精度刻蚀，同时简化了工艺流程，降低了生产成本，提高了生产效率，减少了材料浪费和环境污染，具有良好的设备兼容性和灵活性，为 VDMOS 功率器件的制造和应用提供了新的解决方案，具有深远的行业影响力和广阔的市场应用前景。

天眼查资料显示，西安龙威半导体有限公司，成立于2018年，位于西安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本66068.167985万人民币。通过天眼查大数据分析，西安龙威半导体有限公司参与招投标项目19次，专利信息13条，此外企业还拥有行政许可24个。

本文源自：金融界

作者：情报员