金融界2025年4月21日消息，国家知识产权局信息显示，恩特格里斯公司申请一项名为“11665.用于离子植入系统的含氯前体及相关方法”的专利，公开号CN119856270A，申请日期为2023年8月。

专利摘要显示，一种用于产生植入到衬底中的铝离子的系统及方法。所述系统及方法包括将来自第一容器的含氯气体，任选地连同含氢共伴气体及任选地连同含氟共伴气体一起，流到离子植入装置的离子源室。所述离子源室包括固体铝靶材料。在所述离子源室中，产生铝离子以用于植入到衬底中。

本文源自：金融界

作者：情报员