金融界2025年4月21日消息，国家知识产权局信息显示，南京百识电子科技有限公司申请一项名为“7694.一种碳化硅外延结构的制备方法”的专利，公开号CN119843361A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种碳化硅外延结构的制备方法。本发明提供了一种碳化硅外延结构的制备方法，包括以下步骤：将碳化硅衬底置于反应腔室中，向反应腔室中通入碳源、硅源和氢气，采用垂直气流方向外延生长方式，在所述碳化硅衬底的表面依次生长碳化硅缓冲层和碳化硅外延层，得到所述碳化硅外延结构；所述生长碳化硅外延层时，硅氢比为2.5‰～3‰。本发明通过调控外延层生长过程中的硅氢比，使得在外延层生长的过程中，减少不同台阶之间生长速度的差异、降低台阶重叠来改善表面的短台阶重叠聚集，进而降低表面粗糙度、提高碳化硅外延结构的质量。

天眼查资料显示，南京百识电子科技有限公司，成立于2019年，位于南京市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本718.9529万人民币。通过天眼查大数据分析，南京百识电子科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目8次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息39条，此外企业还拥有行政许可16个。

本文源自：金融界

作者：情报员