金融界2025年4月22日消息，国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“具有改进的盖的自对准栅极端盖（SAGE）架构”的专利，公开号CN119855229A，申请日期为2022年11月。

专利摘要显示，描述了具有改进的盖的自对准栅极端盖(SAGE)架构、以及制造具有改进的盖的自对准栅极端盖(SAGE)架构的方法。在示例中，集成电路结构包括在第一半导体鳍状物之上的第一栅极结构。第二栅极结构在第二半导体鳍状物之上。栅极端盖隔离结构在第一栅极结构和第二栅极结构之间。栅极端盖隔离结构在较低k电介质壁上具有较高k电介质盖层。较高k电介质盖层包括铪和氧，并且具有70％或更大的单斜晶结晶度。

本文源自：金融界

作者：情报员