金融界 2025 年 4 月 22 日消息，国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司取得一项名为“集成电路晶体管器件”的专利，授权公告号 CN222750778U，申请日期为 2024 年 5 月 。

专利摘要显示，本公开涉及集成电路晶体管器件。集成电路晶体管器件包括提供漏极的半导体衬底、半导体衬底中的提供源极的第一掺杂区域和掩埋在半导体衬底中的提供主体的第二掺杂区域。沟槽延伸到半导体衬底中并穿过第一和第二掺杂区域。沟槽内的绝缘多晶硅栅极区域围绕多晶氧化物区域。多晶硅栅极区域由多晶氧化物区域相对侧上的第一栅极凸角和第二栅极凸角以及多晶氧化物区域上的栅极桥形成。在第一区域，栅极桥具有第一厚度，在第二区域，栅极桥具有第二厚度(大于第一厚度)。在第二区域处，在每个沟槽处提供栅极接触以部分地延伸到栅极桥的第二厚度中。根据本公开的技术方案有利地支持提供具有减小节距的器件。

本文源自：金融界

作者：情报员