金融界2025年4月22日消息，国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“闪存测试方法”的专利，公开号CN119851743A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本申请公开了一种闪存测试方法，该方法包括：提供闪存，对闪存的存储单元进行增强擦除，所述增强擦除是指在所述存储单元的字线上施加大于正常擦除电压VEE的增强擦除电压VEE′对所述存储单元进行擦除；擦除完成后，对闪存各存储单元进行写“1”操作测试；如果有存储单元写“1”操作失效，则剔除所述闪存。利用本申请方案，可以将有缺陷的闪存在良率测试阶段充分筛选出来，避免其流到终端用户，降低造成终端失效的可靠性风险。而且，通过该测试，可以进一步提高闪存的可靠性，避免闪存终端用户模式使用失效。

天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目843次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。

本文源自：金融界

作者：情报员