金融界2025年4月23日消息,国家知识产权局信息显示,应用材料公司申请一项名为“自下而上的钼间隙填充”的专利,公开号CN119816938A,申请日期为2023年7月。

专利摘要显示,本公开内容的实施例涉及钼间隙填充的方法。额外的实施例提供了一种形成无实质性空隙的钼间隙填充物的方法。本公开内容的一些实施例与较高深宽比特征相关,这些特征包括DRAM存储器单元。

本文源自:金融界

作者:情报员