金融界2025年4月24日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN119812103A，申请日期为2024年3月。

专利摘要显示，本公开涉及半导体器件及其制造方法。用于制造半导体器件的方法包括：形成第一半导体结构，其包括逻辑晶体管；形成第二半导体结构；将第一半导体结构键合到第二半导体结构，其中，形成第一半导体结构包括：形成第一衬底；在第一衬底上形成第一布线层，第一布线层包括多个第一金属布线和多个第一通孔；在第一布线层上形成第一键合隔离层，其中，形成第二半导体结构包括：形成第二衬底；在第二衬底上形成第二布线层，第二布线层包括多个第二金属布线和多个第二通孔；在第二布线层中形成多个虚设插塞；形成多个孔，其垂直穿过第二衬底至形成多个虚设插塞的部分，其中多个孔在将第一半导体结构键合到第二半导体结构之后形成；以及去除多个虚设插塞。

本文源自：金融界

作者：情报员