国星半导体取得抗水解的 GaN 外延结构及其制作方法和芯片专利
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金融界 2025 年 4 月 25 日消息,国家知识产权局信息显示,佛山市国星半导体技术有限公司取得一项名为“抗水解的 GaN 外延结构及其制作方法和芯片”的专利,授权公告号 CN111834508B,申请日期为 2020 年 7 月。
天眼查资料显示,佛山市国星半导体技术有限公司,成立于2011年,位于佛山市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本82000万人民币。通过天眼查大数据分析,佛山市国星半导体技术有限公司参与招投标项目125次,财产线索方面有商标信息1条,专利信息431条,此外企业还拥有行政许可22个。
本文源自:金融界
作者:情报员
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