前言

PCIe 5.0硬盘已经出来很久了，但是一直以来普及程度都不高。一方面是价格太高，另一方面则是使用的体感提升不大。但你不能否认这个世界上有人需要这么快的硬盘去干一些事情。而本次评测的硬盘也是由粉丝Lvy送测提供的，非常感谢！借此来带大家体验一下土豪世界里，使用一块PCIe 5.0还是4T容量的硬盘感觉是如何。

三星 9100 PRO 4T 规格：

规格：M.2 2280

容量：4TB

标称顺序读写：14800/13400 MB/s

标称随机读写：2200K/2600K IOPS

接口：PCIe 5.0 x4

寿命：2400TBW

协议：NVMe 2.0

颗粒：三星 第八代 V-NAND TLC

SLC缓存：~950GB

售价：3299

外观一览

这位粉丝是直接买了全新的硬盘就发过来给我们测试了，说是花钱跑分不为过。对于我这个没见过几个PCIe 5.0硬盘的人来说，仿佛是刘姥姥进大观园。不过有一说一，目前国内三星固态是国通代理，嗯，没听过。

包装就很简单了，一封说明书保修卡，以及用回收压壳纸做的内包装。

固态本体一览，4T的硬盘采用的还是单面的设计，说明现在的单颗粒容量已经堆到16Tb了。

因为这块固态还要考虑保修的问题，而三星的这个贴纸不仅是散热贴还是易碎纸，所以就不撕开影响质保了。但因为贴纸比较小，还是能看到一点信息。

主控为三星5nm自研主控Presto S4LY027。缓存Samsung LPDDR4X 4266 32Gb。

颗粒为三星第八代 V-NAND TLC 16Tb*2，这个颗粒和上一代990 PRO一样，这也就意味着颗粒的提升会微乎其微，尤其会影响TLC缓外写入速度。

测试

测试项目：

①：ASSSD 2.0.7316.34247 5G

②：CrystalDiskMark 8.0.6 16G

③：TX-bench下空盘状态对比85%满盘

（1、2）95%顺序读取（写入）/5%随机写入（读取）（模拟系统盘下读写大型数据）

（3、4）50%随机（顺序）读取/50%随机（顺序）写入（模拟非系统盘内数据读写）

（5）80%顺序写入/20%顺序读取（模拟常见大型数据读写）

（6）60%顺序写入/40%随机写入（模拟混合写入队列）

*所有混合队列读写任务使用QD8，模拟日常系统使用的队列深度，持续时间为60秒

④：SLC-Cache测试与温度测试

测试平台：

CPU： Intel Core i9 14900K

主板：华硕 ROG MAXIMUS Z790 DARK HERO

内存：金百达 黑刃 32GB×2 DDR5 6000 C36

主硬盘：达墨 水瓶座 2T

散热：鑫谷 昆仑MU-360 ARGB

电源：鑫谷 昆仑 KE-1300P 冰山版

环境温度：26℃

系统版本：Windows 11 24H2

测试固态选择第一条直连通道，并有一颗12cm风扇进行直吹。

CrystalDiskInfo：

0写入是正确的，5次通电是因为重启设置参数。可以看到识别5.0 x4没有问题。

AS SSD Benchmark：

AS-SSD娱乐跑分，这个软件已经有点老了，速度超过10G的情况下不仅显示不对，因为测试数据量太小甚至没法反映真实速度。所以图一乐就行。

CrystalDiskMark：

相比之下，CDM跑分反而还好用一点。虽然说顺序读写速度没有超过标称的14800，但也是99%接近的水平。4K的性能大约只有900K IOPS，为什么不达标，原因就在于队列深度不够。

现在的SSD 4K标称值都需要非常深的队列才能达到标称的数据。我这里的Q8T8已经代表了同时进行8个线程的正常随机读写。看了一下网上别人的数据，基本都要设置到Q32T16的参数，日常使用根本不可能达到。

这也是很多所谓高性能SSD提升感觉不明显的原因之一。顺带一提，PCIe 4.0时代的旗舰硬盘P44 PRO 2T的4K Q8T8也在3900MB/s左右。

TX bench：

图表阅读方法：同时测试读写时，左边纵坐标为读取单位，右边纵坐标为写入单位。横坐标为时间，从左到右从上到下阅读。

首先我们来看看左一排的95%顺序读取/5%随机写入，模拟的是系统盘进行大规模读取时系统所能留有的冗余运作空间。9100 PRO的表现一般般，写入只有4.5MB/s的随机写入空间。对比之下铠侠 VD10 2T都有6.8MB/s。

中一排为95%顺序写入/5%随机读取，模拟的是系统盘进行大规模写入时系统所能留有的冗余运作空间。9100 PRO的SLC缓存接近全盘写入，13G的写入速度在60秒内就已经写了780G，如果再长一点就会降速了。85%写满下是纯TLC写入，此时TLC的写入性能大约只有1600MB/s。

右一排与左二排分别为顺序与随机的50%读取/50%写入，模拟的是非系统盘内进行的读写操作。9100 PRO可以实现盘内6200MB/s的顺序读写和230MB/s的随机读写。85%满盘后顺序读写的损失非常大，只剩1400MB/s，随机读写倒没有什么下降，大约200MB/s。

中二排为80%顺序写入/20%顺序读取，模拟的是常见大型数据的读写操作。9100 PRO没有出现一些SLC缓存固态因为SLC转TLC处理不来而掉速的问题，所以和上面的测试速度类似，都在200-1600之间徘徊。

右二排为60%顺序写入/40%随机写入，模拟的是不常见的大规模混合写入，比如一些下载，缓存队列等。可以看到9100 PRO的控制器依旧能顶住压力，完成SLC转TLC并写入数据的压力操作，没有出现奇怪的突然掉速。所以这快盘的瓶颈就在NAND上了。

SLC-Cache与温度

SLC-Cache直接使用Tx-Bench RAW模式进行读写。可以看到9100 PRO的缓前缓后性能还是很稳定的。大约80秒之后从~12400MB/s跌倒~1500MB/s。换算下来大概950-1000GB左右。这次测试的准确数据为948GB。

测试后记录得最高温度为60度，需要注意此时还有风扇直吹。如果放到机箱内，真的全速测试的话，跑到70-80度也不奇怪。不过平时压力测试基本达不到这个水平。如果真的有这么高的性能需求，务必上主动散热。

总结

9100 PRO 4T最终排名为4，作为家用硬盘，仅次于P44 PRO 2T。其实可以看到读写速度比确实是最快的，但可惜P44 PRO的响应速度比你快的不是一点点。而如果包括企业硬盘的话，还有大哥PM1735 1.6T。

总的来说，这块硬盘的亮点就在于接近14GB/s的低队列顺序读写性能，在更让人有感知的4K低队列表现上并没有明显质的飞跃。除此以外还有背靠三星软件保修支持，不过2400TBW对比对手只能说旗鼓相当。

至于价格方面，说实话，3299的4T真心已经不算贵了。毕竟当年我们买刚出的PCIe 4.0不也差不多1T 1000，当然随着国产颗粒和主控的普及，一大堆无缓PCIe 4.0冲击市场，我们才有今天1T 300的美好市场。下一步到底会是谁发力呢？我们拭目以待！

附录