金融界 2025 年 4 月 26 日消息，国家知识产权局信息显示，中科晶测（北京）半导体科技有限公司申请一项名为“一种测试半导体材料纵向分布载流子浓度及迁移率的方法”的专利，公开号 CN119861112A，申请日期为 2025 年 1 月。

专利摘要显示，本发明公开了一种测试半导体材料纵向分布载流子浓度及迁移率的方法，包括以下步骤：从待测晶圆中采用机械或激光划片方式制备出边长 5mm - 10mm 的正方形样片；在样片的 4 个角上制备出 4 个直径为 0.5mm - 1mm 的圆形欧姆接触电极或边长为 0.5mm - 1mm 的正方形欧姆接触电极；将制备好的样片固定在霍尔测试板上。本发明结构简化，不需要以常规半导体器件工艺方式制备样品，加工方便，以手工操作方式即可完成，生产效率提高，传统湿法逐层腐蚀方式单一样片测试周期可达一周左右，测试可靠性提高，避免了使用化学药品，环境污染减少，提高测试精度，以反向电压方式控制耗尽区宽度，耗尽区宽度控制可以达到 nm 级别分辨率。

天眼查资料显示，中科晶测（北京）半导体科技有限公司，成立于2024年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本100万人民币。通过天眼查大数据分析，中科晶测（北京）半导体科技有限公司参与招投标项目1次，专利信息1条，此外企业还拥有行政许可1个。

本文源自：金融界

作者：情报员