金融界2025年4月26日消息，国家知识产权局信息显示，北京天科合达半导体股份有限公司、江苏天科合达半导体有限公司申请一项名为“一种分辨碳化硅中TSD和TMD缺陷的方法”的专利，公开号CN119861083A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本发明涉及材料缺陷检测领域，特别涉及一种分辨碳化硅中TSD和TMD缺陷的方法。本发明的分辨方法包括：A)利用腐蚀剂对碳化硅单晶进行刻蚀，然后，判定刻蚀是否合格；所述判定的方法如下：利用显微镜观察样品位错形貌，测量碳化硅硅面缺陷腐蚀坑的宽度，若宽度为70～100μm，则判定为刻蚀合格；B)对步骤A)中腐蚀合格的待测样，通过景深显微镜观察其腐蚀坑的宽度、深度信息，利用腐蚀坑高度差形成三维图像，通过所述三维图像中腐蚀坑颜色深浅辨别TSD和TMD缺陷；其中，腐蚀坑颜色较深的为TSD缺陷，腐蚀坑颜色较浅的为TMD缺陷。本发明的方法能够直观清楚的分辨碳化硅单晶中尺寸相近的TSD和TMD缺陷。

天眼查资料显示，北京天科合达半导体股份有限公司，成立于2006年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本50600万人民币。通过天眼查大数据分析，北京天科合达半导体股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目263次，财产线索方面有商标信息42条，专利信息171条，此外企业还拥有行政许可148个。

江苏天科合达半导体有限公司，成立于2018年，位于徐州市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本35000万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏天科合达半导体有限公司参与招投标项目89次，专利信息91条，此外企业还拥有行政许可27个。

本文源自：金融界

作者：情报员