金融界 2025 年 4 月 30 日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号 CN119894081A，申请日期为 2025 年 1 月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底，衬底在第一方向上具有相邻的 LDMOS 区和 JFET 区；在衬底上形成外延层；对外延层进行第一离子注入处理，形成位于 LDMOS 区两端外延层内的第一阱区、以及位于 JFET 区上外延层内的第二阱区；对外延层内和第二阱区内进行第二离子注入处理，形成位于第二阱区内的第二栅极注入区，且第二栅极注入区与第二栅极注入区底部的第二阱区形成第一 PN 结；对第二阱区表面进行第三离子注入处理，形成第三栅极注入区，第三栅极注入区与第三栅极注入区底部的第二阱区形成第二 PN 结。由两个 PN 结控制耗尽区的宽度，能够使得 JFET 器件能够在较低的关断电压下控制 JFET 器件处于沟道夹断状态，降低了 JFET 器件的关断电压以及 JFET 器件的功耗。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2909次，专利信息1620条，此外企业还拥有行政许可117个。

本文源自：金融界

作者：情报员