金融界2025年5月1日消息，国家知识产权局信息显示，江西乾照半导体科技有限公司申请一项名为“一种多结太阳能电池结构及其制备方法”的专利，公开号CN119894110A，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，本申请公开了一种多结太阳能电池结构及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域，在存在晶格失配的第一子电池和第二子电池之间设置两组变质缓冲层，起到晶格过渡的作用，有效释放第一子电池和第二子电池之间因晶格失配产生的残余应力，并有效阻断第一子电池和第二子电池之间因晶格失配产生的位错向第二子电池的有源区（即第二子电池的pn结）延伸；而且，第一组变质缓冲层由AlGaInAs材料构成，第二组变质缓冲层由(Al)GaInP材料构成，(Al)GaInP材料的硬度高于AlGaInAs材料，使得第二组变质缓冲层更不容易产生位错和缺陷，进一步避免变质缓冲层的位错延伸到第二子电池的有源区，提高多结太阳能电池结构的性能。

天眼查资料显示，江西乾照半导体科技有限公司，成立于2023年，位于南昌市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本27000万人民币。通过天眼查大数据分析，江西乾照半导体科技有限公司参与招投标项目4次，专利信息25条，此外企业还拥有行政许可2个。

本文源自：金融界

作者：情报员