金融界2025年5月2日消息，国家知识产权局信息显示，浙江大学和国网浙江省电力有限公司电力科学研究院申请一项名为“一种平面栅MOSFET结构及其制备方法”的专利，公开号CN119907271A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，一种平面栅MOSFET结构及其制备方法，属于平面栅MOSFET技术领域，一种平面栅MOSFET结构，包括元胞结构，所述元胞结构包括：N型衬底；N型外延层；P阱区，两个P阱区的顶部皆形成有沟道区；两个P阱区之间形成有JFET区；栅氧层包括第一栅氧区、第二栅氧区和第三栅氧区，第一栅氧区位于沟道区与栅极结构之间，第二栅氧区位于N型区与栅极结构之间，第三栅氧区位于JFET区与栅极结构之间，第二栅氧区的最大厚度大于第一栅氧区的厚度，第三栅氧区的最大厚度大于第一栅氧区的厚度。本申请通过优化MOSFET栅氧的厚度分布，保证沟道处栅氧具有的低界面态密度、高迁移率的导通优势，降低了栅氧泄漏电流，提高了栅氧可靠性，同时也减小了栅氧电容，提高了MOSFET的开关速度。

本文源自：金融界

作者：情报员