金融界2025年5月2日消息，国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“监控深沟槽超级结MOSFET产品外延填充程度的方法”的专利，公开号CN119907286A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本发明提供一种监控深沟槽超级结MOSFET产品外延填充程度的方法，在外延填充期间，通过温度探测器获取衬底表面的实时温度数据，从而反馈不同的温度读值获得的有规律的温度曲线波动，进而根据温度曲线波动判断外延填充程度，实现对深沟槽超级结MOSFET产品外延填充程度的实时和精确监控。

天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目856次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。

本文源自：金融界

作者：情报员