金融界2025年5月2日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号 CN119905453A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：提供一含有隔离沟槽的衬底；形成至少覆盖所述隔离沟槽的侧壁表面及底面的衬垫层；形成填充于所述隔离沟槽内且覆盖所述衬垫层的隔离层，所述衬垫层的致密度大于所述隔离层的致密度，以形成包括所述隔离沟槽、所述衬垫层和所述隔离层的隔离结构。本发明能够显著减小隔离结构的顶部拐角处的凹陷深度，并简化半导体结构的制造工艺，提高半导体结构的制造效率。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1793次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1042条，此外企业还拥有行政许可191个。

本文源自：金融界

作者：情报员