金融界 2025 年 5 月 6 日消息，国家知识产权局信息显示，长飞光纤光缆股份有限公司申请一项名为“一种 PVT 法生长 SiC 的流场控制方法”的专利，公开号 CN119913619A ，申请日期为 2025 年 1 月。

专利摘要显示，本发明一种 PVT 法生长 SiC 的流场控制方法，将圆柱形石墨坩埚与多孔石墨筒同轴放置，多孔石墨筒将石墨坩埚内的空间隔离成中心区域和环形区域；将高堆积密度的碳化硅粉料装填在所述环形区域，将低堆积密度的碳化硅粉料装填在中心区域；在环形区域的碳化硅粉料上方加盖等静压石墨环，在中心区域的碳化硅粉料上方加盖多孔石墨片；本发明通过高堆积密度粉料具有低的孔隙率，而低堆积密度粉料具有高的孔隙率，使得 SiC 蒸汽优先在粉料中心向上传输，同时粉料中的石墨导流构件对引导气流传输起到重要作用，侧边产生的 SiC 蒸汽通过多孔石墨筒向中心汇聚，促进中心向上传质有效地降低碳包裹物，有利于晶体以台阶流方式生长，从而提高了晶体的质量。

天眼查资料显示，长飞光纤光缆股份有限公司，成立于1988年，位于武汉市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本75790.5108万人民币。通过天眼查大数据分析，长飞光纤光缆股份有限公司共对外投资了41家企业，参与招投标项目2716次，财产线索方面有商标信息220条，专利信息1671条，此外企业还拥有行政许可391个。

本文源自：金融界

作者：情报员