金融界2025年5月6日消息，国家知识产权局信息显示，深圳镓楠半导体科技有限公司申请一项名为“一种不同深度接触孔的刻蚀方法”的专利，公开号CN119922940A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本发明公开了一种不同深度接触孔的刻蚀方法，包括以下步骤：提供GaN层；在所述GaN层表面沿纵向沉积AlGaN层；设置沿纵向贯穿于所述GaN层和所述AlGaN层的金属层；在所述AlGaN层表面沿纵向沉积介质层，所述介质层覆盖所述金属层；在所述介质层内沿横向沉积场板，所述场板的纵向高度大于所述金属层的纵向高度；对所述场板和所述金属层进行沟槽刻蚀，其中，所述场板的沟槽横向截面积小于所述金属层的沟槽的横向截面积。本发明通过调整不同刻蚀深度的沟槽尺寸，可以调节刻蚀速率使得接触孔刻蚀停止在不同高度的金属层或场板上，避免了过度刻蚀导致金属互联的接触电阻变大的问题。

天眼查资料显示，深圳镓楠半导体科技有限公司，成立于2023年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本436.3149万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳镓楠半导体科技有限公司财产线索方面有商标信息7条，专利信息15条，此外企业还拥有行政许可6个。

本文源自：金融界

作者：情报员