金融界2025年5月6日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN119922911A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，其中半导体结构中包括多个沟道层，位线和电容器可以分别电连接于沟道层两端的源端和漏端。沟道层中设置有单晶材料，能够有效减少多晶沟道中的高散射导致的泄露问题，保证沟道层的导通性能。并且，多个沟道层在与衬底的表面相交的第一方向上层叠设置，能够更为充分地利用衬底上方的空间，从而实现沟道层在与衬底表面相交的方向上的叠置，显著提高沟道层的堆叠密度。

天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息225条，专利信息356条，此外企业还拥有行政许可28个。

本文源自：金融界

作者：情报员