金融界2025年5月6日消息，国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“半导体器件及制作方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利，公开号CN119922935A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件及制作方法、功率模块、功率转换电路和车辆。制作方法包括：形成半导体本体；在半导体本体的第一表面上形成第一掩模层，其中，第一掩模层包括第一通孔，所述第一通孔暴露所述栅极沟槽和至少部分所述第一区域；在栅极沟槽内形成第一氧化层；以第一掩模层为掩模在半导体本体内形成反型层；去除第一掩模层及第一氧化层；在栅极沟槽中形成绝缘层及沟槽栅极。本发明提供了一种半导体器件及制作方法、功率模块、功率转换电路和车辆，可以减少制作半导体器件的工艺步骤，降低了半导体器件的制作成本。

天眼查资料显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币。通过天眼查大数据分析，长飞先进半导体（武汉）有限公司参与招投标项目22次，专利信息51条，此外企业还拥有行政许可15个。

本文源自：金融界

作者：情报员