金融界2025年5月9日消息，国家知识产权局信息显示，苏州龙驰半导体科技有限公司申请一项名为“一种垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管”的专利，公开号CN119947201A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本申请提供了一种垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管包括元胞，元胞在横向第二方向划分为交替设置的VCGJFET区和MOSFET区；在横向第一方向，MOSFET区具有依次相邻设置的第一掺杂类型的MOSFET区漏区、第二掺杂类型的MOSFET区沟道区、第一掺杂类型的MOSFET区源区；VCGJFET区具有第一掺杂类型的顶栅；在横向第二方向，顶栅和所述MOSFET区漏区交替相邻连接设置；其中，所述顶栅、所述MOSFET区漏区、MOSFET区沟道区、MOSFET区源区连接。本申请解决了传统垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管顶栅中的载流子浓度增加且无泄放路径的技术问题。

天眼查资料显示，苏州龙驰半导体科技有限公司，成立于2022年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本19634.4449万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州龙驰半导体科技有限公司参与招投标项目21次，财产线索方面有商标信息28条，专利信息60条，此外企业还拥有行政许可29个。

本文源自：金融界

作者：情报员