金融界2025年5月9日消息，国家知识产权局信息显示，武汉高芯科技有限公司申请一项名为“一种微桥结构及其制备方法、非制冷红外微测辐射热计”的专利，公开号CN119935318A，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，本发明提供了一种微桥结构及其制备方法、非制冷红外微测辐射热计，该微桥结构包括包括若干个像元，所述像元包括衬底、桥腿和桥面，单个所述像元的桥腿与其至少一个相邻所述像元的桥腿错层布置且在所述衬底上的投影部分重合。该发明将其相邻两个像元的桥腿置于不同高度形成错层布置的结构，扩展了桥腿的设计空间，同时不影响单个像元的桥面布局，解决了像元布局空间受限问题，从而能够大幅增加桥腿长度，无需增加微桥结构层数，即可改善微桥热导问题，有效保证非制冷红外微测辐射热计结构的稳定性和非制冷红外探测器的可靠性。

天眼查资料显示，武汉高芯科技有限公司，成立于2013年，位于武汉市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本33800万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉高芯科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目62次，财产线索方面有商标信息22条，专利信息374条，此外企业还拥有行政许可20个。

本文源自：金融界

作者：情报员