金融界2025年5月9日消息，国家知识产权局信息显示，AMS 国际有限公司申请一项名为“用于制造多个电子半导体芯片的方法、电子半导体芯片和显示器”的专利，公开号 CN119949050A，申请日期为 2023 年 11 月。

专利摘要显示，提供了一种用于制造多个电子半导体芯片的方法，包括以下步骤：‑提供具有多个电子功能区(6)的外延半导体层序列(1)，该外延半导体层序列(1)被布置在衬底(2)上或上方；‑在外延半导体层序列(1)中生成多个沟槽(9)，从而创建多个外延半导体层堆叠体(10)；‑在沟槽(9)中的外延半导体层堆叠体(10)的侧面(12)上或上方沉积吸收层(15)，该吸收层(15)对电磁辐射具有吸收性；‑在外延半导体层堆叠体(10)的第一主表面上或上方沉积另外的层(38)，该另外的层(38)覆盖沟槽(9)；‑生成桥接元件(28)，将从第一主表面(13)开始的外延半导体层堆叠体(10)连接到处理Wafer(25)；以及‑至少部分地移除衬底(2)。此外，提供了一种半导体芯片和一种显示器。

本文源自：金融界

作者：情报员