金融界2025年5月10日消息,国家知识产权局信息显示,SK恩普士有限公司申请一项名为“抛光垫及其制备方法”的专利,公开号CN119927793A,申请日期为2024年10月。
专利摘要显示,本发明的抛光垫包括顶垫,其与晶片接触以进行抛光;和子垫,其位于顶垫一侧,其中,在用于氧化硅层的CMP工艺中的抛光速率曲线中距离晶片中心95mm处的抛光速率大于距离晶片中心85mm处的抛光速率。结果是,抛光速率和抛光平整度都得到了提高,特别是抛光垫边缘的抛光速率曲线特性优异。
本文源自:金融界
作者:情报员
金融界2025年5月10日消息,国家知识产权局信息显示,SK恩普士有限公司申请一项名为“抛光垫及其制备方法”的专利,公开号CN119927793A,申请日期为2024年10月。
专利摘要显示,本发明的抛光垫包括顶垫,其与晶片接触以进行抛光;和子垫,其位于顶垫一侧,其中,在用于氧化硅层的CMP工艺中的抛光速率曲线中距离晶片中心95mm处的抛光速率大于距离晶片中心85mm处的抛光速率。结果是,抛光速率和抛光平整度都得到了提高,特别是抛光垫边缘的抛光速率曲线特性优异。
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