金融界2025年5月12日消息，国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司取得一项名为“提高沟道区面积的SiC VDMOSFET”的专利，授权公告号CN222840001U，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，提高沟道区面积的SiC VDMOSFET，涉及半导体技术领域。本实用新型在SiC VDMOSFET器件中通过将常规条形状的沟道区设计布局成连续的凸台状，从而使器件内部的沟道区面积增加60%-70%，使SiC VDMOSFET器件的通流能力相较于常规条形沟道区提高1.6倍-1.7倍，这不仅提高了器件的功率密度，同时也降低了器件成本。

天眼查资料显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司，成立于2006年，位于扬州市，是一家以从事电力、热力生产和供应业为主的企业。企业注册资本54334.7787万人民币。通过天眼查大数据分析，扬州扬杰电子科技股份有限公司共对外投资了29家企业，参与招投标项目174次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息724条，此外企业还拥有行政许可233个。

本文源自：金融界

作者：情报员