金融界2025年5月12日消息，国家知识产权局信息显示，合肥矽迈微电子科技有限公司申请一项名为“一种高压二极管的封装结构及其封装工艺”的专利，公开号CN119965096A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本发明公开了一种高压二极管的封装结构及其封装工艺，该工艺包括以下步骤：芯片包封：将正面刷有胶层A的芯片放置在基板上，在基板上使用包封料包封芯片，研磨包封面直至暴露出胶层A的顶面，并在研磨面相应位置垂直钻孔；电性连接：在钻孔内电镀填充立柱A，并在研磨面水平平铺电镀设置布线层A，布线层A与芯片正面胶层A顶面接触，布线层A的一端与立柱A电性连接，在研磨面继续使用包封料包封立柱A和布线层A，包封料固化后从基板上剥离整体并上下翻转重新放置在基板上，芯片背面暴露；电性引出：在翻转后的包封面相应位置垂直钻孔，直至暴露出立柱A的顶部，本发明直接作用在芯片上的应力均匀，芯片寿命延长。

天眼查资料显示，合肥矽迈微电子科技有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本50500万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥矽迈微电子科技有限公司参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息176条，此外企业还拥有行政许可12个。

本文源自：金融界

作者：情报员