金融界2025年5月12日消息，国家知识产权局信息显示，半导体元件工业有限责任公司申请一项名为“用于具有注入隔离的JFET的方法和系统”的专利，公开号CN119967899A，申请日期为2020年12月。

专利摘要显示，本申请实施例涉及用于具有注入隔离的垂直结型场效应晶体管(Junction Field Effect Transistor，JFET)的方法和系统。一种JFET，包括：衬底；有源区，该有源区具有多个半导体鳍；在鳍的上表面上的源极金属层源极金属盘层，该源极金属盘层通过源极金属层耦合到半导体鳍；栅极区，该栅极区围绕半导体鳍；以及体二极管，该体二极管围绕栅极区。

本文源自：金融界

作者：情报员