金融界 2025 年 5 月 14 日消息，国家知识产权局信息显示，上海德硅凯氟光电科技有限公司申请一项名为“一种氟化物晶体生长的多坩埚真空下降炉装置及其生长方法”的专利，公开号 CN119980432A，申请日期为 2025 年 2 月。

专利摘要显示，本申请涉及一种氟化物晶体生长的多坩埚真空下降炉装置，其包括设有真空内腔炉体，炉体靠近顶部的侧壁上设有与真空内腔连通的抽气管道，炉体底壁上设有用于向真空内腔内填充保护气氛的进气口；炉体内两相对侧壁上对称设置有两个加热器，炉体内位于两个加热器间升降设置有多个坩埚，炉体底部与坩埚对应设置有多个驱动组件以驱动坩埚升降，每个驱动组件独立控制升降，相邻两个坩埚间通过碳毡隔板分隔，多个碳毡隔板将真空内腔分隔成与坩埚数量相等的多个独立热区。本申请具有使得多坩埚能够实现同步长晶，长晶口径和长度均可以自由调控，适用于中小口径的多根晶体同步生长，既能维持较高的生长速度，多坩埚下也能有效提高投料量。

天眼查资料显示，上海德硅凯氟光电科技有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本8666.6667万人民币。通过天眼查大数据分析，上海德硅凯氟光电科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息28条，此外企业还拥有行政许可2个。

本文源自：金融界

作者：情报员