金融界2025年5月14日消息，国家知识产权局信息显示，赛米控丹佛斯电子股份有限公司申请一项名为“用于制造具有接触金属化部、边缘钝化部的功率半导体器件的方法和功率半导体器件”的专利，公开号CN119997521A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，提出了用于制造具有接触金属化部、边缘钝化部的功率半导体器件的方法和功率半导体器件，该功率半导体器件具有：带有前侧和后侧的第一掺杂的半导体主体；在半导体主体中、在其前侧的中心的盆状区域；在前侧上且在功率半导体器件的边缘区域中的环形包围盆状区域的第二掺杂的边缘结构，其中，边缘区域与盆状区域直接联接；在边缘区域中的第一氧化硅层，其中，盆状区域的外部区段也被覆盖；铝合金，其具有铝和至少一种另外的金属或半金属；在盆状区域的外部区段上并且在边缘区域上的钝化部、优选聚酰亚胺钝化部。

本文源自：金融界

作者：情报员