国际商业机器公司申请具有背侧位线的 FET DRAM 专利，提供连接到 DRAM 单元背侧位线的半导体结构
金融界
·北京
·金融界网站官方账号 优质财经领域创作者
金融界 2025 年 5 月 16 日消息，国家知识产权局信息显示，国际商业机器公司申请一项名为“具有背侧位线的 FET DRAM”的专利，公开号 CN119999350A，申请日期为 2023 年 11 月。
专利摘要显示，提供了一种半导体结构，其包括连接到动态随机存取存储器(DRAM)单元的背侧位线，该 DRAM 单元包括存在于该结构的前侧中的多个场效应晶体管(FET)和多个 DRAM 电容器。
本文源自：金融界
作者：情报员
热门跟贴