金融界2025年5月20日消息,国家知识产权局信息显示,国际商业机器公司申请一项名为“具有背侧源极/漏极连接的垂直传输场效应晶体管”的专利,公开号CN120019730A,申请日期为2023年08月。

专利摘要显示,在晶片上提供VTFET。背侧电力输送网络位于晶片的背侧上。第一背侧触点连接到VTFET的底部源极/漏极区和背侧电力输送网络的第一部分。第二背侧触点连接到VTFET的顶部源极/漏极区和背侧电力输送网络的第二部分。

本文源自:金融界

作者:情报员