金融界2025年5月21日消息，国家知识产权局信息显示，河北工业大学;北京市科通电子继电器总厂有限公司申请一项名为“基于栅氧层老化的SiC MOSFET寿命预测方法”的专利，公开号CN120012594A，申请日期为2025年02月。

专利摘要显示，本发明属于功率半导体器件寿命预测技术领域，具体是一种基于栅氧层老化的SiC MOSFET寿命预测方法。首先，通过SiC MOSFET加速老化试验获取不同工况条件下的真实阈值电压序列并进行预处理；然后，基于条件生成对抗网络构建寿命预测模型，包括生成器、普通判别器、条件判别器、编码网络和反向恢复网络；将工况条件作为条件标签与预处理后的真实阈值电压序列依次经过编码网络和反向恢复网络，得到嵌入工况条件的真实阈值电压序列；将工况条件作为条件标签与随机生成的高斯噪声序列经过生成器，得到嵌入工况条件的模拟阈值电压序列；将嵌入工况条件的真实阈值电压序列和模拟阈值电压序列同时输入到普通判别器和条件判别器中进行判别；最后，对寿命预测模型进行训练，利用训练后的生成器生成期望工况条件下的阈值电压序列。

本文源自：金融界

作者：情报员