金融界2025年5月21日消息，国家知识产权局信息显示，北京立积半导体科技有限公司申请一项名为“内嵌液态金属的高导热氮化硅基板及其制备方法”的专利，公开号CN120015716A，申请日期为2025年02月。

专利摘要显示，本申请提供了一种内嵌液态金属的高导热氮化硅基板及其制备方法，高导热氮化硅基板包括：第一散热层，具有内嵌封闭腔体，腔体内填充有液态金属；第一钎焊层，位于第一散热层的一侧；第二散热层，位于第一钎焊层背离第一散热层的一侧；第二钎焊层，位于第一散热层背离第一钎焊层的一侧；第三散热层，位于第二钎焊层背离第一散热层的一侧。高导热氮化硅基板将半导体器件产生的热量从第二散热层传递至具有液态金属的第一散热层中，由于液态金属的熔点较低，受热熔融成为液态，利用对流散热将热量快速传递至第三散热层，增强了基板的被动导热能力。解决了现有技术中氮化硅基板的导热能力无法满足小型化集成高功率密度功率模块封装的散热需求问题。

天眼查资料显示，北京立积半导体科技有限公司，成立于2022年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本100万人民币。通过天眼查大数据分析，北京立积半导体科技有限公司专利信息1条。

本文源自：金融界

作者：情报员