金融界2025年5月23日消息，国家知识产权局信息显示，浙江驰拓科技有限公司申请一项名为“存储器件及其制作方法”的专利，公开号CN120035150A，申请日期为2023年11月。

专利摘要显示，本发明提供了一种存储器件及其制作方法。该存储器件包括：半导体基体，具有第一表面；多个导电连接部，自第一表面延伸至半导体基体中，且任意相邻的两个导电连接部间隔设置；多个自旋轨道力矩层，间隔设置于导电连接部远离半导体基体的一侧，且每个自旋轨道力矩层串联连接相邻的至少两个导电连接部；多个磁性隧道结，位于自旋轨道力矩层远离导电连接部的一侧，且多个磁性隧道结与多个自旋轨道力矩层一一对应。通过本申请，在形成磁性隧道结的过程中，无需停止在自旋轨道力矩层上，即可以对磁性隧道结进行过刻蚀以及可以对自旋轨道力矩层进行过刻蚀，从而增大了刻蚀窗口，可以提高器件的刻蚀良率。

天眼查资料显示，浙江驰拓科技有限公司，成立于2016年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本17714.088889万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江驰拓科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目91次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息421条，此外企业还拥有行政许可7个。

本文源自：金融界

作者：情报员