金融界2025年5月27日消息，国家知识产权局信息显示，南京晶升装备股份有限公司申请一项名为“一种避免低熔点杂质影响的碳化硅单晶生长方法”的专利，公开号CN120041936A，申请日期为2025年02月。

专利摘要显示，本发明公开了一种避免低熔点杂质影响的碳化硅单晶生长方法，提供用于盛放单晶生长材料的坩埚和隔离片，所述坩埚上部内壁上设有用于放置隔离片的台阶面，所述隔离片为碳化硅材质，具体包括以下步骤：步骤1、在坩埚中加入单晶生长材料，并将隔离片放置于台阶面上，隔离片外侧面与台阶面侧壁之间相隔预设间隙；步骤2、装炉升温，设置升温速率70‑170℃/h，升温至2150±20℃，到达2150±20℃后，恒温2‑6h；步骤3、设置升温速率900‑1800℃/h，升温至2300±20℃；步骤4、设置降温速率800‑1200℃/h，降温至2250±20℃，开始进行单晶生长。本发明杜绝了早期升温过程不良组分对生长初期的影响，操作简便，同时未引入其他元素，提供了单晶品质。

天眼查资料显示，南京晶升装备股份有限公司，成立于2012年，位于南京市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本13836.6096万人民币。通过天眼查大数据分析，南京晶升装备股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息101条，此外企业还拥有行政许可23个。

本文源自：金融界

作者：情报员