金融界2025年5月28日消息，国家知识产权局信息显示，应用材料股份有限公司申请一项名为“形成无沟槽填充空隙的动态随机存取存储器器件的方法”的专利，公开号CN120052067A，申请日期为2022年10月。

专利摘要显示，本文公开了用于形成不具有沟槽填充空隙的动态DRAM器件的方法。一种方法可包括：在衬底中设置多个沟槽，所述多个沟槽界定多个器件结构；以及在器件结构之上沉积多个层。所述层可包括位于器件结构之上的第一层、位于第一层之上的第二层、及位于第二层之上的第三层。所述方法还可包括：穿过所述多个层形成多个接触沟槽，以暴露出所述多个器件结构中的一个或多个器件结构；以及以非零角度将离子引导到沟槽的侧壁中，其中所述离子撞击第三层而不撞击第二层。所述方法还可包括在将离子引导到沟槽的侧壁中之后在所述沟槽内形成填充材料。

本文源自：金融界

作者：情报员