金融界2025年5月29日消息，国家知识产权局信息显示，苏州珂晶达电子有限公司取得一项名为“一种可集成的纵向高压器件”的专利，授权公告号CN222916506U，申请日期为2024年08月。

专利摘要显示，本实用新型实施例公开了一种可集成的纵向高压器件，其中包括：漏极金属层；N型埋层，位于漏极金属层上方；N型外延层，位于N型埋层上方；深槽栅高压器件和CMOS器件，位于N型外延层上方且在水平方向排布；N型外延层包括P型深阱区，CMOS器件位于P型深阱区上方。本实用新型实施例解决了功率输出管和普通的CMOS器件集成时无法兼顾同时兼顾面积和耐压的问题，通过将功率输出管设置为深槽栅结构的纵向高压器件，利用P型深阱实现CMOS器件的制备，从而使得功率输出管与CMOS器件进行集成，在实现纵向高压器件与CMOS器件集成，提高了集成器件中高压器件的耐压值，有助于高压BCD工艺的发展。

天眼查资料显示，苏州珂晶达电子有限公司，成立于2011年，位于苏州市，是一家以从事零售业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州珂晶达电子有限公司参与招投标项目19次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息49条，此外企业还拥有行政许可4个。

本文源自：金融界

作者：情报员