金融界2025年5月30日消息，国家知识产权局信息显示，ASM IP私人控股有限公司申请一项名为“在衬底表面上使用等离子体填充间隙的方法”的专利，公开号CN120060816A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，提供了一种在衬底上形成氧化硅膜的方法。该方法可以包括以下步骤：(a)将衬底放置在反应室中的基座上；其中衬底包括间隙；(b)沉积步骤，包括：向反应室提供连续含硅前体流；向反应室提供连续氧化气体流；并且通过向含硅前体和氧化前体提供等离子体功率，在衬底上沉积氧化硅膜的一部分；以及(c)蚀刻步骤，包括：通过向反应室提供蚀刻气体来蚀刻所述一部分的局部；其中蚀刻气体由远程等离子体单元激活，并且其中远程等离子体单元流体耦合到反应室。

本文源自：金融界

作者：情报员