金融界2025年5月30日消息，国家知识产权局信息显示，希力微电子（深圳）股份有限公司取得一项名为“一种超结子层错位分布的耐压区器件”的专利，授权公告号CN222928733U，申请日期为2024年08月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种超结子层错位分布的耐压区器件，包括源区和漏区，以及位于源区和漏区之间的M个超结子层；M个超结子层沿着源区至漏区方向依次分布；M为大于1的整数；所述超结子层包括超结N型掺杂区和超结P型掺杂区，同一个超结子层中超结N型掺杂区和超结P型掺杂区的接触面为结面；相邻的超结子层中结面之间的夹角大于0°小于等于90°。本实用新型提供的一种超结子层错位分布的耐压区器件，各个超结子层在空间上错开互为一定角度，当耐压区器件处于导通状态时，电流的流动在空间上更为均匀分布，有利于耐压区器件的热流分布更为均匀，从而具备更好的热稳定性。

天眼查资料显示，希力微电子（深圳）股份有限公司，成立于2020年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6000万人民币。通过天眼查大数据分析，希力微电子（深圳）股份有限公司共对外投资了1家企业，财产线索方面有商标信息22条，专利信息12条，此外企业还拥有行政许可8个。

本文源自：金融界

作者：情报员