金融界2025年6月2日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市道尔顿电子材料股份有限公司申请一项名为“一种非感光聚酰亚胺薄膜及其制备方法”的专利，公开号CN120059251A，申请日期为2025年02月。

专利摘要显示，本发明提供了一种非感光聚酰亚胺薄膜及其制备方法，涉及高分子材料技术领域。所述非感光聚酰亚胺薄膜的制备方法包括以下步骤：将不含羧酸结构的二胺单体、含羧酸结构的二胺单体、极性非质子溶剂以及四羧酸二酐单体混合进行聚合反应得到聚酰胺酸溶液；将聚酰胺酸溶液与极性非质子溶剂混合得到聚酰亚胺膜前体溶液，将聚酰亚胺膜前体溶液顺次进行涂覆、烘干，得到非感光聚酰亚胺薄膜。该非感光聚酰亚胺薄膜显影窗口宽、膜厚均匀性良好，通过引进羧酸结构的单体结构改善显影窗口及膜厚均匀性，同时保持极佳的耐热性、电气绝缘性以及耐机械性能。

本文源自金融界