金融界2025年6月3日消息，国家知识产权局信息显示，苏州炬仁半导体有限公司申请一项名为“一种半桥D-Mode GaN驱动死区控制检测电路”的专利，公开号CN120090450A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半桥D‑Mode GaN驱动死区控制检测电路，包括偏置产生电路、常见半桥D‑Mode GaN电路和半桥D‑Mode GaN驱动死区时刻检测电路，偏置产生电路为后续电路提供偏置电压和偏置电流，常见半桥D‑Mode GaN电路采用LLC谐振变换器电路拓扑结构，半桥D‑Mode GaN驱动死区时刻检测电路输入端连接D‑Mode GaN下部分L‑DMOS的源端，检测L‑DMOS的源端电压的变化，施密特触发电路输入端连接半桥D‑Mode GaN驱动死区时刻检测电路的输出端，用于调节检测死区时刻来临时的电压阈值并有一定的电压裕量抵抗噪声干扰；通过对死区时刻的准确捕捉，即使在复杂多变的工况环境下，也能保持出色的检测精度，具有准确的死区时刻检测能力以及抗干扰能力。

本文源自：金融界

作者：情报员