金融界2025年6月6日消息,国家知识产权局信息显示,朗姆研究公司申请一项名为“氟减少是含硅膜”的专利,公开号CN120112677A,申请日期为2023年10月。

专利摘要显示,一种利用电介质材料填充间隙的方法包括在沉积期间使用抑制等离子体。抑制等离子体使已沉积膜的成核势垒提高。钝化等离子体可以去除吸附在已沉积电介质材料的表面上或主体中的抑制剂物质。

本文源自:金融界

作者:情报员