金融界2025年6月7日消息,国家知识产权局信息显示,胜高股份有限公司申请一项名为“外延硅晶片及其制造方法”的专利,公开号CN120099637A,申请日期为2024年12月。
专利摘要显示,外延硅晶片包括:硅晶片,其中整个表面(不包括从最外边缘至向内2mm的边缘区域)是COP区域;以及外延硅层,其形成在硅晶片的表面上。位于距硅晶片的最外边缘向内5mm以内的外围区域中的平均COP尺寸为75nm或更小。
本文源自:金融界
作者:情报员
金融界2025年6月7日消息,国家知识产权局信息显示,胜高股份有限公司申请一项名为“外延硅晶片及其制造方法”的专利,公开号CN120099637A,申请日期为2024年12月。
专利摘要显示,外延硅晶片包括:硅晶片,其中整个表面(不包括从最外边缘至向内2mm的边缘区域)是COP区域;以及外延硅层,其形成在硅晶片的表面上。位于距硅晶片的最外边缘向内5mm以内的外围区域中的平均COP尺寸为75nm或更小。
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