爱思开海力士申请包括导电接合图案的半导体装置专利,提供设置在穿过覆盖层并延伸到层间绝缘层中的焊盘沟槽中的导电接合图案
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金融界2025年6月9日消息,国家知识产权局信息显示,爱思开海力士有限公司申请一项名为“包括导电接合图案的半导体装置”的专利,公开号CN120109123A,申请日期为2024年06月。
专利摘要显示,本申请涉及包括导电接合图案的半导体装置。一种半导体装置可包括位于基板上的互连件。层间绝缘层可设置在互连件上。覆盖层可设置在层间绝缘层上。可提供设置在穿过覆盖层并延伸到层间绝缘层中的焊盘沟槽中的导电接合图案。可提供设置在焊盘沟槽中并接触导电接合图案的侧表面的间隔物。可提供设置在穿过层间绝缘层并与焊盘沟槽的中心对准的接触孔中的接触插塞。接触插塞可接触互连件。导电接合图案可与接触插塞连续。
本文源自:金融界
作者:情报员
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