金融界2025年6月10日消息，国家知识产权局信息显示，无锡华润上华科技有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN120129285A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本申请涉及一种半导体器件及其制备方法。该半导体器件包括衬底；第一掺杂区，设于所述衬底内；第一沟槽，设于所述第一掺杂区内，且从所述第一掺杂区的表面开口并沿所述衬底的厚度方向延伸；第二掺杂区，设于所述第一掺杂区内，且位于所述第一沟槽的一侧；源区，设于所述第一掺杂区内；介质层，设于所述第一沟槽内；其中，所述介质层上设有第二沟槽，所述第二沟槽从所述介质层的表面开口并沿所述衬底的厚度方向延伸，沿远离所述第二掺杂区的方向，所述第二沟槽的槽深逐渐增加；栅极导电层，填充于所述第二沟槽内。

天眼查资料显示，无锡华润上华科技有限公司，成立于2002年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本66801.147万美元。通过天眼查大数据分析，无锡华润上华科技有限公司参与招投标项目3968次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息1449条，此外企业还拥有行政许可118个。

本文源自：金融界

作者：情报员