金融界2025年6月10日消息，国家知识产权局信息显示，深圳镓楠半导体科技有限公司申请一项名为“一种优化金属残留和填充的HEMT器件的制备方法”的专利，公开号CN120129265A，申请日期为2025年02月。

专利摘要显示，本发明公开了一种优化金属残留和填充的HEMT器件的制备方法，包括以下步骤：提供第一介质层；在所述第一介质层上沉积第一场板，所述第一场板的横向截面积小于所述第一介质层的横向截面积；在所述第一场板和所述第一介质层侧部沉积由第二介质层形成的侧墙；在所述第一介质层和所述侧墙上沉积第三介质层，所述第三介质层具有第一台阶；在所述第三介质层上沉积第二场板，所述第二场板具有第二台阶。

天眼查资料显示，深圳镓楠半导体科技有限公司，成立于2023年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本436.3149万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳镓楠半导体科技有限公司财产线索方面有商标信息7条，专利信息15条，此外企业还拥有行政许可7个。

本文源自：金融界

作者：情报员